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申请/专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法，所述制备方法，包括以下步骤：S100：获取图形化半导体衬底；S200：采用物理气相沉积方法在图形化半导体衬底上进行差异性沉积，以备在图形化半导体衬底表面形成厚度不均的薄膜，S300：对所述薄膜进行刻蚀，使图形化半导体衬底的C面漏出，而图形化半导体衬底的凸起仍有薄膜覆盖；S400：步骤S300处理后得到的图形化半导体衬底进行选择性刻蚀，所述选择性刻蚀被配置为只能够对半导体衬底进行刻蚀而无法刻蚀薄膜，以备将半导体衬底上的图形刻蚀至所需高度和形状；S500：去除半导体衬底上的薄膜，获得高深度微结构图形化半导体衬底。
主权项：1.一种高深度微结构图形化半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：获取图形化半导体衬底；S200：采用物理气相沉积方法在图形化半导体衬底上进行差异性沉积，以备在图形化半导体衬底表面形成厚度不均的薄膜，所述图形化半导体衬底距离靶材越近的位置在其上形成的薄膜厚度越大，且薄膜的厚度差可控；S300：对所述薄膜进行刻蚀，使图形化半导体衬底的C面漏出，而图形化半导体衬底的凸起仍有薄膜覆盖；S400：步骤S300处理后得到的图形化半导体衬底进行选择性刻蚀，所述选择性刻蚀被配置为只能够对半导体衬底进行刻蚀而无法刻蚀薄膜，以备将半导体衬底上的图形刻蚀至所需高度和形状；S500：去除半导体衬底上的薄膜，获得高深度微结构图形化半导体衬底。
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