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一种P沟道器件及其集成电路 

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申请/专利权人:南方科技大学

摘要:本发明公开了一种P沟道器件及其集成电路,所述P沟道器件由下至上依次设置有第一N型材料层,第二源极设置在第一N型材料层上;P型沟道层,P型沟道层设置在第一N型材料层上;P型沟道层上设有凹槽和第一源极,栅介质层位于凹槽的上方,第一栅极设置在栅介质层上;第二N型材料层,第二N型材料层位于P型沟道层上,第一漏极设置在第二N型材料层上。通过设置第一N型材料层、P型沟道层和第二N型材料层并构成P沟道器件,便于P沟道器件获得并维持P型工作逻辑,有效提高P沟道器件的电流密度,简化P沟道器件结构的同时也降低了P沟道器件的制备难度。

主权项:1.一种P沟道器件,其特征在于,包括:栅介质层、第一源极、第二源极、第一漏极和第一栅极;所述P沟道器件由下至上依次设置有:第一N型材料层,所述第二源极设置在所述第一N型材料层上;P型沟道层,所述P型沟道层设置在所述第一N型材料层上;所述P型沟道层上设有凹槽和所述第一源极,所述栅介质层位于所述凹槽的上方,所述第一栅极设置在所述栅介质层上;第二N型材料层,所述第二N型材料层位于所述P型沟道层上,所述第一漏极设置在所述第二N型材料层上。

全文数据:

权利要求:

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