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申请/专利权人：北京旭灿半导体科技有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
摘要：本公开提供一种测试装置，涉及PVT法晶体生长技术领域，该测试装置包括：坩埚本体，其具有容纳空间，且坩埚本体上设有坩埚盖以将容纳空间密封成密封空间；测试原料和测试容器，其具有容置腔，用于容纳测试原料，测试容器设置于容纳空间内，且所述容置腔的中心轴与所述坩埚盖的中心轴重合且所述容置腔的开口靠近所述坩埚盖。该测试装置不需要测试人员不断地往炉内投入籽晶和原料进行生长测试来确定长晶炉内的实际长晶的温度，该测试装置减少了碳化硅晶体长晶温度及功率的测试成本以及测试时间。
主权项：1.一种测试装置，其特征在于，包括：坩埚本体1，其具有容纳空间11，且所述坩埚本体1上设有坩埚盖以将所述容纳空间11密封成密封空间；测试原料；和测试容器2，其具有容置腔，用于容纳所述测试原料3，所述测试容器2设置于所述容纳空间11内，且所述容置腔的中心轴与所述坩埚盖的中心轴重合且所述容置腔的开口靠近所述坩埚盖。
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权利要求：
百度查询： 北京旭灿半导体科技有限公司 东旭科技集团有限公司 东旭集团有限公司 测试装置、长晶炉及测温方法
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