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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括：提供一衬底，在衬底上制备第一半导体层；在第一半导体层上制备第一导电金属层；在第一半导体层以及第一导电金属层上制备布拉格反射层以及布拉格反射通孔；在布拉格反射层以及布拉格反射层通孔上制备第二导电金属层，第二导电金属层包括自下而上依次设置的反射子层、保护子层、导电子层以及阻挡BOE子层；在布拉格反射层以及第二导电金属层上制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔，第一绝缘层通孔的直径≤3um且角度≤30°；在第一绝缘层和第一绝缘层通孔上制备第二半导体层。
主权项：1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1，提供一生长所需的衬底，在所述衬底上制备第一半导体层；S2，在所述第一半导体层上制备第一导电金属层，所述第一导电金属层包括若干个P型第一导电金属层以及若干个N型第一导电金属层；S3，在所述第一半导体层以及所述第一导电金属层上制备布拉格反射层以及布拉格反射通孔，所述布拉格反射层通孔包括若干个对应设置在所述P型第一导电金属层上的P型布拉格反射层通孔以及若干个对应设置在所述N型第一导电金属层上的N型布拉格反射层通孔；S4，在所述布拉格反射层以及所述布拉格反射层通孔上制备第二导电金属层，所述第二导电金属层包括若干个对应设置在所述P型布拉格反射层通孔上的P型第二导电金属层以及若干个对应设置在所述N型布拉格反射层通孔上的N型第二导电金属层，所述P型第二导电金属层以及所述N型第二导电金属层均包括自下而上依次设置的反射子层、保护子层、导电子层以及阻挡BOE子层；S5，在所述布拉格反射层以及所述第二导电金属层上制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔，所述第一绝缘层通孔包括若干个对应设置在所述P型第二导电金属层上的P型第一绝缘层通孔以及若干个对应设置在所述N型第二导电金属层上的N型第一绝缘层通孔，所述P型第一绝缘层通孔以及所述N型第一绝缘层通孔的直径≤3um且角度≤30°；S6，在所述第一绝缘层和所述第一绝缘层通孔上制备第二半导体层。
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