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申请/专利权人：江苏通用半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种SiC晶锭剥离装置及剥离方法，SiC晶锭剥离装置包括机架、设置在机架上的中转机构、横梁、旋转取料机构、激光平台以及设置在横梁下方的安装平台。激光平台包括激光发生器、扩束模块、用于对扩束模块的光速进行功率调整的功率调整模块、用于对功率调整模块处理后的光束进行调整线偏的偏振调制模块、用于对偏振调制模块处理后的光束进行反射的一号反射镜模块、用于对一号反射镜模块反射后的光束进行整形的光束整形模块、4f光学系统、用于将光束整形模块中处理后的光束折射至4f光学系统的二号反光镜模块、用于对二号反光镜模块进行处理后的光束进行聚焦的聚焦物镜。优点：能够实现对晶锭的快速转移，有效提高晶锭激光切割的效率。
主权项：1.一种SiC晶锭剥离装置，包括机架1，其特征在于：还包括设置在机架1上的中转机构3、设置在机架1上的横梁4、设置在横梁4上的旋转取料机构5、设置在横梁4上的激光平台7以及设置在横梁4下方的安装平台6；所述旋转取料机构5包括沿Z向滑动设置在横梁4上的二号升降架、设置在横梁4上用于驱动二号升降架升降的一号驱动组件、转动设置在二号升降架上的二号旋转架51、设置在二号升降架上用于驱动二号旋转架51转动的二号驱动组件、两个分别沿二号旋转架51旋转中心对称设置的夹爪52；所述激光平台7包括激光发生器71、用于对激光发生器71的光束进行扩散的扩束模块72、用于对扩束模块72的光束进行功率调整的功率调整模块73、用于对功率调整模块73处理后的光束进行调整线偏的偏振调制模块74、用于对偏振调制模块74处理后的光束进行反射的一号反射镜模块75、用于对一号反射镜模块75反射后的光束进行整形的光束整形模块76、4f光学系统77、用于将光束整形模块76中处理后的光束折射至4f光学系统77的二号反光镜模块78、用于对二号反光镜模块78进行处理后的光束进行聚焦的聚焦物镜79。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏通用半导体有限公司 一种SiC晶锭剥离装置及剥离方法
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