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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种电容器及其制造方法，半导体衬底中形成有第一沟槽，第一介质层覆盖所述第一沟槽表面，第一导电层形成在所述第一介质层上并且所述第一导电层的表面呈凹凸状，第二介质层保形覆盖所述第一导电层，第二导电层形成在所述第二介质层上，由此，增加了所述半导体衬底上所述第一介质层和所述第二介质层的面积，相应的，提高了半导体衬底、第一介质层和第一导电层形成的第一电容器以及第一导电层、第二介质层和第二导电层形成的第二电容器的电容量。
主权项：1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有至少一个第一沟槽；位于所述半导体衬底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底表面以及所述第一沟槽表面；位于所述第一介质层上的第一导电层，所述第一导电层填充所述第一沟槽并凸出于所述半导体衬底的表面，所述第一导电层的表面呈凹凸状；位于所述第一导电层上的第二介质层，所述第二介质层保形覆盖所述第一导电层；以及，位于所述第二介质层上的第二导电层。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 电容器及其制造方法
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