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一种光刻胶剥离方法 

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申请/专利权人:深圳大学;深圳市银宝山新科技股份有限公司

摘要:本发明公开一种光刻胶剥离方法,包括步骤:在衬底表面涂覆光刻胶,然后进行烘烤、曝光、显影,得到图案化的光刻胶层;在所述光刻胶层和显影后露出的衬底表面沉积金属层;使用微纳米加工技术刻蚀所述光刻胶层侧壁表面的金属层,露出所述光刻胶层;使用光刻胶剥离液去除所述光刻胶层,实现光刻胶的剥离。本发明的光刻胶剥离方法,操作简便,兼容性高,适用范围广,对衬底、光刻胶、金属层材质和厚度等均无要求,剥离质量高且能得到精度误差小的金属图形,可用于制作器件的引线和电极、刻蚀掩膜等。

主权项:1.一种光刻胶剥离方法,其特征在于,包括步骤:在衬底表面涂覆光刻胶,然后进行烘烤、曝光、显影,得到图案化的光刻胶层;在所述光刻胶层和显影后露出的衬底表面沉积金属层;使用微纳米加工技术刻蚀所述光刻胶层侧壁表面的金属层,露出所述光刻胶层;使用光刻胶剥离液去除所述光刻胶层,实现光刻胶的剥离。

全文数据:

权利要求:

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