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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开的各个实施例针对包括衬底上方的底部电极的集成芯片。顶部电极位于底部电极上面。覆盖结构设置在顶部电极和底部电极之间。覆盖结构包括与金属层垂直堆叠的扩散阻挡层。切换结构设置在底部电极和覆盖结构之间。切换结构包括底部电极上的介电层以及介电层上的第一氧亲和层。第一氧亲和层的第一吉布斯自由能小于介电层的第二吉布斯自由能。第一吉布斯自由能和第二吉布斯自由能之间的第一差小于‑100kJmol。本申请的实施例还涉及用于形成集成芯片的方法。
主权项：1.一种集成芯片，包括：底部电极，位于衬底上面；顶部电极，位于所述底部电极上方；覆盖结构，设置在所述顶部电极和所述底部电极之间，其中，所述覆盖结构包括与金属层垂直堆叠的扩散阻挡层；以及切换结构，设置在所述底部电极和所述覆盖结构之间，其中，所述切换结构包括位于所述底部电极上的介电层以及位于所述介电层上的第一氧亲和层，其中，所述第一氧亲和层的第一吉布斯自由能小于所述介电层的第二吉布斯自由能，并且其中，所述第一吉布斯自由能和所述第二吉布斯自由能之间的第一差小于-100kJmol。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片和用于形成集成芯片的方法
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