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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：衬底；在所述衬底上依次叠置缓冲层、N型接触层、N型层、I型层、P型层以及P型接触层；P型接触电极，设置在台面上的中心处，并通过第一电极隔离层的窗口与所述P型接触层接触，其中所述台面为通过光刻刻蚀并露出至所述N型接触层的台面；N型接触电极，设置在所述台面下，并通过第一电极隔离层的窗口与所述N型接触层接触。该光电探测器不仅有利于电流注入均匀性提高，而且降低了探测器边缘电流密度与暗电流，提高了探测器光电性能。
主权项：1.一种光电探测器，其特征在于，包括：衬底（1）；在所述衬底（1）上依次叠置缓冲层（2）、N型接触层（3）、N型层（4）、I型层（5）、P型层（6）以及P型接触层（7）；P型接触电极（8），设置在台面（9）上的中心处，并通过第一电极隔离层（13）的窗口与所述P型接触层（7）接触，其中所述台面（9）为通过光刻刻蚀并露出至所述N型接触层（3）的台面（9）；N型接触电极（10），设置在所述台面（9）下，并通过第一电极隔离层（13）的窗口与所述N型接触层（3）接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 一种光电探测器及其制备方法
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