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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种渐变厚度氧化层的工艺方法，对半导体衬底形成第1段沟槽；在第1段沟槽的内壁形成第1阻挡层；继续对第1段沟槽的底部刻蚀形成第2段沟槽；在所述的第2段沟槽的内壁形成第2阻挡层；循环进行沟槽刻蚀及阻挡层形成步骤直至形成完整沟槽；刻蚀去除最底下第N段沟槽的阻挡层，再进行热氧化工艺在第N段沟槽的内壁及底部形成热氧化层；再刻蚀去除第N‑1段沟槽的侧壁阻挡层，热氧化工艺在所述的第N‑1段沟槽的内壁形成热氧化层；继续循环上述的刻蚀及热氧化工艺步骤，对第N‑2、N‑3、……段沟槽的侧壁阻挡层进行逐级的刻蚀以及热氧化工艺，直至沟槽开口处的所述第1段沟槽的侧壁也形成氧化层，最终形成越靠下氧化层越厚的渐变厚度氧化层。
主权项：1.一种渐变厚度氧化层的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底表面形成一层硬掩模层；光刻定义打开所述硬掩模层的沟槽区刻蚀窗口，对所述的刻蚀窗口内的所述半导体衬底进行沟槽的第一次刻蚀，形成第1段沟槽；在所述的第1段沟槽的内壁形成第1阻挡层；继续对所述刻蚀窗口内的所述第1段沟槽的底部半导体衬底进行刻蚀，形成第2段沟槽；在所述的第2段沟槽的内壁形成第2阻挡层；继续循环进行上述的沟槽刻蚀及阻挡层形成步骤，形成第3、第4……N段沟槽，直到将沟槽的总深度刻蚀到设计深度，以及形成相应的第3、第4、……N段沟槽的阻挡层；刻蚀去除最底下的一段沟槽的阻挡层，即第N段沟槽的第N阻挡层，然后进行热氧化工艺，在所述的第N段沟槽的内壁及沟槽底部形成热氧化层；再刻蚀去除第N-1段的沟槽的侧壁阻挡层，然后进行热氧化工艺，在所述的第N-1段沟槽的内壁继续形成热氧化层；继续循环上述的刻蚀及热氧化工艺步骤，对第N-2、N-3、……段沟槽的侧壁阻挡层进行逐级的刻蚀去除以及热氧化工艺，直至沟槽开口处的所述第1段沟槽的侧壁也形成氧化层。
全文数据：
权利要求：
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