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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
摘要：本发明的一种片上波导集成有源器件、制备方法及其应用，选择氮化硅作为波导芯层材料，器件自下而上依次为高掺杂硅衬底、二氧化硅埋氧层、氮化硅微环谐振器、源漏金属电极和范德华异质结硒化钯‑碲化钼层。范德华异质结硒化钯‑碲化钼层覆盖在微环谐振器上方，与源漏金属电极接触构成导电沟道。本发明的一种片上波导集成有源器件、制备方法及其应用，记载了氮化硅波导集成有源器件的结构尺寸设计与制备方法，利用无源波导器件与二维材料的混合集成，利用氮化硅微环谐振器的谐振增强特性，进一步提高了范德华异质结器件光吸收和光电转换能力。
主权项：1.一种片上波导集成有源器件，其特征在于：自下而上依次为高掺杂硅衬底、二氧化硅埋氧层、氮化硅微环谐振器、源漏金属电极和范德华异质结硒化钯-碲化钼层；所述高掺杂硅衬底为器件的基底，用作所述有源器件的背栅；所述二氧化硅埋氧层为氮化硅微环谐振器的下包层，隔离高掺杂硅衬底和氮化硅微环谐振器以减少光损耗，器件的上包层选择空气或者二氧化硅；氮化硅微环谐振器包括光栅耦合器、直波导、环波导，光栅耦合器与直波导两端相连，将自由空间光耦合进入直波导；直波导与环波导之间通过倏逝场耦合；源漏金属电极分为上电极与下电极；二维材料碲化钼覆盖在上电极上，二维材料硒化钯覆盖在碲化钼和下电极上，构成导电沟道，环波导中的光通过倏逝场耦合进入硒化钯，耦入环波导中的光在谐振波长处发生谐振增强。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 一种片上波导集成有源器件、制备方法及其应用
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