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申请/专利权人：西湖仪器(杭州)技术有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶锭切片方法，包括：首先利用低能量飞秒激光聚焦在SiC晶体内部，使部分Si‑C键断裂，形成吸收层，随后用高能量飞秒激光将吸收层中的SiC化学键彻底打断完成切片；以激光入射方向为顶侧，所述高能量飞秒激光的焦平面位于所述吸收层下方。本发明利用碳化的吸收层阻止高能量飞秒激光在SiC内部成丝导致的破坏深度过大，从而降低材料浪费率。
主权项：1.一种碳化硅晶锭切片方法，其特征在于，包括：首先利用低能量飞秒激光聚焦在SiC晶体内部，使部分Si-C键断裂，形成吸收层，随后用高能量飞秒激光将吸收层中的SiC化学键彻底打断完成切片；以激光入射方向为顶侧，所述高能量飞秒激光的焦平面位于所述吸收层下方；所述低能量飞秒激光焦点处的功率密度5×1015Wcm2；所述高能量飞秒激光焦点处的功率密度1×1016Wcm2；所述低能量飞秒激光的激光脉冲宽度小于1皮秒；聚焦前激光能量为5~20μJ；焦点处光斑直径约0.8~1.5μm；所述高能量激光的焦平面位于所述吸收层底层下方10~30μm处。
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权利要求：
百度查询： 西湖仪器(杭州)技术有限公司 一种碳化硅晶锭切片方法、装置及应用
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