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申请/专利权人：北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;博宇(天津)半导体材料有限公司;博宇(朝阳)半导体科技有限公司
摘要：本公开提供了一种PBN制品的制造方法，包括：将石墨材料的粗模具进行第一烘干；对第一烘干后的所述粗模具进行抛光，得到细模具；以所述细模具为沉积模具，在所述细模具的沉积面上沉积形成PBN涂层；通过加热器控制沉积炉内的温度，以按预设降温策略进行降温。本公开的方法能够改善PBN制品变形的情况。
主权项：1.一种PBN制品的制造方法，其特征在于，包括：将石墨材料的粗模具进行第一烘干，所述第一烘干的温度为100-200℃，烘干时间0.5-10h；对第一烘干后的所述粗模具进行抛光，所述粗模具抛光后表面粗糙度小于0.5μm，得到细模具；以所述细模具为沉积模具，将所述细模具置于沉积炉内，对所述细模具进行第二烘干，第二烘干的温度为100-200℃，烘干时间为10-120min，所述第二烘干之后，按照沉积要求升温，以进行沉积，所述细模具的非沉积面具有内凹结构，在所述细模具的沉积面上沉积形成PBN涂层，沉积形成PBN涂层包括：先在所述细模具的表面沉积形成热解石墨层，所述热解石墨层的厚度为5-100μm，在所述热解石墨层之上形成所述PBN涂层，在与所述细模具的非沉积面相对的位置设置悬置结构，以减少所述非沉积面处PBN的沉积量，所述悬置结构与所述细模具非沉积面之间的距离为2-5mm；通过加热器控制沉积炉内的温度，沉积完成后，在沉积温度基础上升高50-100℃，恒温30-60min，然后以按预设降温策略进行降温，所述降温策略包括控制降温速率，以消除沉积时的内应力；所述降温策略包括：设置多个恒温点，温度降至所述恒温点时，保持30-180分钟。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 博宇(天津)半导体材料有限公司 博宇(朝阳)半导体科技有限公司 PBN制品的制造方法
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