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申请/专利权人：珠海凌烟阁芯片科技有限公司
摘要：本发明所提供的一种标准单元库再特征化方法、装置、终端及存储介质，所述标准单元库再特征化方法包括：获取目标电路组件的所有工艺角对应的特性数值；对各个工艺角对应的所述特性数值进行回归分析，得到回归方程，并对所述回归方程进行微分，得到反曲点坐标；根据所述反曲点坐标确定目标电压和目标温度，根据所述目标电压和目标温度对标准单元库再特征化。本发明通过所有工艺角的特性数值构建回归方程，得到反曲点坐标，在反曲点上特性数值会有较大的变化，能够准确的决定需要做标准单元库再特征化的电压与温度，因此，在反曲点进行标准单元库再特征化更加准确，避免了根据经验不断试验得到特定的电压与温度，提高了电路设计效率。
主权项：1.一种标准单元库再特征化方法，其特征在于，包括：获取目标电路组件的所有工艺角对应的特性数值；对各个工艺角对应的所述特性数值进行回归分析，得到回归方程，并对所述回归方程进行微分，得到反曲点坐标；根据所述反曲点坐标确定目标电压和目标温度，根据所述目标电压和目标温度对标准单元库再特征化；所述根据所述反曲点坐标确定目标电压和目标温度，根据所述目标电压和目标温度对标准单元库再特征化，包括：将所述反曲点坐标的横坐标作为目标电压，将所述反曲点坐标的纵坐标作为目标温度，根据所述目标电压和目标温度对标准单元库再特征化；所述获取目标电路组件的所有工艺角对应的特性数值，包括：获取目标电路组件的标准单元库，所述标准单元库中包括所述目标电路组件的所有工艺角对应的标准单元库文档；根据各个所述标准单元库文档得到目标电路组件的所有工艺角对应的特性数值；所述标准单元库中还包括：延时模型，所述延时模型将输入信号转换时间和输出负载作为索引；根据各个所述标准单元库文档得到目标电路组件的所有工艺角对应的特性数值，包括：基于所述延时模型的索引确定特定输入信号延迟和特定负载；根据各个所述标准单元库文档得到所述特定输入信号延迟和特定负载下所有工艺角对应的特性数值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海凌烟阁芯片科技有限公司 一种标准单元库再特征化方法、装置、终端及存储介质
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