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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及用于对存储器单元进行编程的技术。提供用于对存储第一逻辑状态的自选择存储器单元进行编程的技术。为对所述存储器单元进行编程，可将具有第一极性的脉冲施加到所述单元，此可导致所述存储器单元具有降低的阈值电压。在其中可降低所述存储器单元的所述阈值电压的持续时间期间例如，在选择时间期间，可将具有第二极性例如，不同极性的第二脉冲施加到所述存储器单元。将所述第二脉冲施加到所述存储器单元可导致所述存储器单元存储不同于所述第一逻辑状态的第二逻辑状态。
主权项：1.一种用于存储器操作的方法，其包括：在写入操作期间将具有第一极性的第一脉冲施加到存储第一逻辑状态的存储器单元；响应于施加所述第一脉冲而检测所述存储器单元处的骤回事件；响应于检测到所述骤回事件而将具有不同于所述第一极性的第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元；及至少部分基于施加所述第二脉冲到所述存储器单元而将不同于所述第一逻辑状态的第二逻辑状态存储于所述存储器单元中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于对存储器单元进行编程的技术
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