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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：一种内插器层包括集成波导，以促进半导体封装中的半导体管芯之间的高速例如，高于80GHz通信。一种内插器层可以包括波导构件以及与波导构件的外周界的至少一部分相邻设置的电介质层。波导构件包括具有第一相对电容率的材料。电介质构件包括具有小于第一相对电容率的第二相对电容率的材料。波导构件和电介质构件形成具有上表面和下表面的内插器层。第一导电薄板可以靠近内插器层的上表面设置，并且第二导电薄板可以靠近内插器层的下表面设置。
主权项：1.一种半导体封装内插器层，包括：波导构件，所述波导构件使用具有第一相对电容率的第一材料形成，所述波导构件具有与第二端相对的第一端，其中，所述波导构件的传播方向是从所述第一端到所述第二端或从所述第二端到所述第一端，并且所述波导构件具有与第二侧相对的第一侧，所述第一侧和所述第二侧位于所述第一端与所述第二端之间；以及电介质构件，所述电介质构件使用具有第二相对电容率的第二材料形成，所述电介质构件与所述波导构件的所述第一侧和所述第二侧相邻；其中，所述第一相对电容率大于所述第二相对电容率；并且其中，所述波导构件和所述电介质构件形成所述内插器层，所述内插器层具有平面的第一表面以及平行的、横向相对的、平面的第二表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 多管芯半导体封装中的经由波导的半导体管芯间通信
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