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申请/专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
摘要：提供本发明公开了一种单向可控硅芯片及其制造方法，芯片包括盆形阴极区、阳极区、长基区、盆形短基区、环形门极、阳极、阴极、表面钝化膜，制造方法包括以下步骤：硅单晶片选择；硅片抛光；氧化；双面光刻阴极区对通隔离窗口；磷予沉积；双面光刻短基区对通窗口；离子注入铝；去胶；对通扩散；光刻正面阳极区窗口和背面短基区窗口；双面离子注入硼；双面推结；去除背面氧化层；背面阴极区扩散；光刻引线孔；正面蒸镀铝膜；反刻铝电极：用反刻版进行光刻；合金；背面喷砂；背面蒸镀电极；芯片测试；锯片；包装。本发明具有器件底板直接安装在散热器上并接地，且具有低热阻的优点；同时克服了封装过程中底部焊料与短基区短路的风险。
主权项：1.一种单向可控硅芯片，其特征在于：包括盆形阴极区、阳极区、长基区、盆形短基区、环形门极、阳极、阴极、表面钝化膜，在环绕芯片四周的立面和背面设置盆形阴极区，盆形阴极区包括盆形阴极区底面、盆形阴极区侧壁，所述盆形阴极区的终端终止于芯片上表面及芯片四周立面的表面，所述盆形阴极区内侧设置环绕芯片四周的立面与背面的盆形短基区，盆形短基区包括盆形短基区的底面与四周的盆形短基区的侧壁，所述盆形短基区与阳极区之间设置长基区，所述阳极区、盆形短基区、长基区的终端皆终止在芯片上表面，所述阳极位于芯片顶面的中部区域与阳极区连接，所述环形门极位于芯片顶面并环绕芯片四周一圈与盆形短基区连接，所述阴极位于芯片底面与盆形阴极区底面连接，所述表面钝化膜位于芯片顶面边沿四周及阳极与环形门极之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种单向可控硅芯片及其制造方法
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