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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在衬底中，与有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与单元栅极结构交叉，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在位线结构之间；着接焊盘结构，设置在接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在下着接焊盘上的上着接焊盘，其中，上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在上着接焊盘的空腔中；以及绝缘图案结构，与位线结构之一接触并且与着接焊盘结构接触。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在所述衬底中，与所述有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与所述单元栅极结构交叉，并且在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在所述位线结构之间；着接焊盘结构，设置在所述接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在所述下着接焊盘上的上着接焊盘，所述上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在所述上着接焊盘的所述空腔中；以及绝缘图案结构，与所述位线结构之一接触并且与所述着接焊盘结构接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 具有着接焊盘结构的半导体器件
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