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申请/专利权人：武汉工程大学
摘要：本发明涉及半导体光伏材料与器件技术领域，尤其涉及一种表面富硒的Sb2S,Se3薄膜及其制备方法和太阳能电池。包括：S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液；S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后，将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布，得到Sb2S,Se3前驱膜；S3、将Sb2S,Se3前驱膜进行退火处理，得到表面富硒的Sb2S,Se3薄膜。本发明通过微流蠕动泵辅助化学水浴法合成了表面均匀致密，体相缺陷少的表面富硒梯度组分Sb2S,Se3薄膜，可提高太阳能电池的光电转换效率。
主权项：1.一种表面富硒的Sb2S,Se3薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液；S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后，将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S-Se元素梯度分布，反应结束后干燥得到Sb2S,Se3前驱膜；S3、将Sb2S,Se3前驱膜进行退火处理，得到表面富硒的Sb2S,Se3薄膜，所述Sb2S,Se3薄膜的表面富Se元素，底部富S元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉工程大学 一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池
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