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申请/专利权人：清华大学
摘要：本公开涉及一种神经形态晶体管及制造方法和神经形态器件。神经形态晶体管包括：衬底，包括第一区域和第二区域；源区和漏区，位于衬底的第一区域；沟道区，位于源区和漏区之间；离子掺杂的介质层，包括一个或多个子介质层，每个子介质层包括沿沟道区的长度方向沿伸的第一部分和第二部分，第一部分位于衬底的第一区域上方、覆盖所述沟道区，第二部分位于衬底的第二区域上方，至少一个子介质层的第二部分包括第一位置和第二位置；电阻开关材料层，位于至少一个子介质层的第二部分的第一位置上；多个栅极，包括位于第二部分的第二位置上的第一类型栅极、位于电阻开关材料层上的第二类型栅极。
主权项：1.一种神经形态晶体管，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；源区和漏区，位于所述衬底的第一区域；沟道区，位于所述源区和漏区之间；离子掺杂的介质层，包括一个或多个子介质层，每个子介质层包括沿所述沟道区的长度方向沿伸的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述衬底的第一区域上方、覆盖所述沟道区，所述第二部分位于所述衬底的第二区域上方，至少一个子介质层的第二部分包括第一位置和第二位置；电阻开关材料层，位于所述至少一个子介质层的第二部分的第一位置上；多个栅极，包括位于所述介质层的第二部分的第二位置上的第一类型栅极、位于所述电阻开关材料层上的第二类型栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 神经形态晶体管及制造方法、神经形态器件
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