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申请/专利权人：苏州优晶半导体科技股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法；降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置能够用于生长碳化硅单晶，其包括炉体、发热体、坩埚、坩埚盖和绝缘隔挡件，炉体具有容纳腔；坩埚设置于容纳腔内，且坩埚具有空腔，空腔用于填装碳化硅原料；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚的上方，且位于空腔的开口处，坩埚盖用于固定籽晶；发热体设置于容纳腔内，且发热体围绕于坩埚的外周；绝缘隔挡件设置于容纳腔内，且分隔在发热体的内壁和坩埚的外壁之间。该生长装置能够利用绝缘隔挡件减少打火现象确保炉体内的压强、温度的稳定性，提高生长的晶体质量，还能延长发热体和坩埚的使用寿命。
主权项：1.一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括：炉体（100），所述炉体（100）具有容纳腔（110）；坩埚（300），所述坩埚（300）设置于所述容纳腔（110）内，且所述坩埚（300）具有空腔（310），所述空腔（310）用于填装碳化硅原料（500）；坩埚盖（320），所述坩埚盖（320）可拆卸地设置于所述坩埚（300）的上方，且位于所述空腔（310）的开口处，所述坩埚盖（320）用于固定籽晶（321）；发热体（200），所述发热体（200）设置于所述容纳腔（110）内，且所述发热体（200）围绕于所述坩埚（300）的外周；以及，绝缘隔挡件（400），所述绝缘隔挡件（400）设置于所述容纳腔（110）内，且分隔在所述发热体（200）的内壁和所述坩埚（300）的外壁之间。
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百度查询： 苏州优晶半导体科技股份有限公司 降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法
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