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半导体装置及半导体装置的制造方法 

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申请/专利权人:三菱电机株式会社

摘要:本申请的发明涉及的半导体装置具有:半导体基板;第一电极,其设置于半导体基板之上;绝缘层,其具有在第一电极的上表面设置的第一部分;第二电极,其具有在第一电极的上表面设置的主要部分和与主要部分相连且攀上至第一部分之上的檐部;以及焊料,其将第二电极中的主要部分的上表面和与主要部分的上表面相连的檐部的上表面的一部分覆盖,绝缘层具有将檐部的上表面中的与被焊料覆盖的部分相比更靠檐部的端部侧的部分覆盖的第二部分和将第一部分与第二部分连接且将檐部的端部覆盖的第三部分。

主权项:1.一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体基板;第一电极,其设置于所述半导体基板之上;绝缘层,其具有在所述第一电极的上表面设置的第一部分;第二电极,其具有在所述第一电极的上表面设置的主要部分和与所述主要部分相连且攀上至所述第一部分之上的檐部;以及焊料,其将所述第二电极中的所述主要部分的上表面和与所述主要部分的上表面相连的所述檐部的上表面的一部分覆盖,所述绝缘层具有将所述檐部的上表面中的与被所述焊料覆盖的部分相比更靠所述檐部的端部侧的部分覆盖的第二部分和将所述第一部分与所述第二部分连接且将所述檐部的所述端部覆盖的第三部分,所述第二部分的从所述檐部的所述端部算起的长度比所述第一部分的从所述檐部的所述端部算起的长度短。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法

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