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申请/专利权人：纳宇半导体材料(深圳)有限责任公司

摘要：本发明涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法，包括预处理衬底，预处理衬底包括衬底，衬底内间隔布设有多个P型区域，位于中心区域的P型区域内设有N型区域，各P型区域内设有两间隔设置的P+欧姆接触，N型区域内设有两个间隔设置的N+欧姆接触；预处理衬底上间隔设有第一金属层和二氧化硅，二氧化硅上设有第二金属层，第二金属层上设有氮化硅层和第三金属层,预处理衬底背面设有多个下注入槽，多个下注入槽底部与对应的第二金属层连通，下注入槽设有多晶硅，各下注入槽的槽口覆盖有第四金属层；通过基于热导率的热测试芯片的结构设计以可以模拟真实环境，对热界面材料TIM进行热导率测试。

主权项：1.一种基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：在衬底的上表面左侧、中心处和右侧间隔注入硼离子，形成二极管的P型区域；在中心处的P型区域注入磷离子，形成N型区域；在各P型区域注入硼离子，使得各P型区域上、下两端均对称形成P+欧姆接触，位于衬底的中心处的P型区域的两个P+欧姆接触分设N型区域两侧；在N型区域注入磷离子，形成N+欧姆接触，去胶、清洗、烘干、热退火，获得预处理衬底；在预处理衬底上沉积二氧化硅，依次涂胶、曝光、显影坚膜，形成与各P+欧姆接触和N+欧姆接触连通的第一通孔，在二氧化硅和第一通孔上沉积金属，形成第一金属层；刻蚀第一金属层，保留各P+欧姆接触上方和N+欧姆接触上方第一金属层；在二氧化硅和第一金属层上再沉积二氧化硅，依次涂胶、曝光、显影坚膜，形成与各第一金属层连通的第二通孔，在二氧化硅上和第二通孔上沉积金属，形成第二金属层；按照电路布图，掩膜，刻蚀第二金属层，保留各第一金属层上方的第二金属层、保留三个间隔设置的呈条状的第二金属层，分别标记为GD连线区、HC连线区域、IB连线区域，保留分设HC连线区域两侧的且位于N+欧姆接触上方第二金属层，将GD连线区与相邻的N+欧姆接触上方第二金属层连接的第一连接区域，将IB连线区域与相邻的N+欧姆接触上方第二金属层连接的第二连接区域；在二氧化硅和第二金属层上沉积氮化硅，形成氮化硅层，涂胶、曝光、显影坚膜，裸漏出左侧P型区域和右侧P型区域两端的第二金属层，GD连线区两端的第二金属层，HC连线区域两端的第二金属层和IB连线区域的第二金属层；在氮化硅层和第二金属层上沉积第三金属层，刻蚀第三金属层，保留左侧P型区域和右侧P型区域两端的第三金属层，分别标记为F接点和E接点，J接点和A接点，保留GD连线区两端的上方的第三金属层，标记为G接点和D接点、HC连线区域两端上方的第三金属层，标记为H接点和C接点，保留IB连线区域上方的第三金属层，分别标记为I接点和B接点；对衬底的背面进行刻蚀，形成与F接点、E接点、G接点、D接点、H接点、C接点、I接点、B接点上、下对应的下注入槽，各下注入槽与第二金属层连通，向各下注入槽内注入有多晶硅；在衬底的背面沉积第四金属层，对第四金属层进行刻蚀，保留各下注入槽区域覆盖的第四金属层，获得热测试芯片。

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