龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中央硝子株式会社
摘要：在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
主权项：1.一种碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，包括如下工序：回熔工序，使4H型碳化硅的晶种与包含硅和碳且碳浓度未饱和的原料溶液接触，使所述晶种的下面溶解，进行所述下面的平滑化；和，晶体培育工序，在所述回熔工序之后，在平滑化的所述晶种的下面生长出4H型碳化硅单晶，所述晶种的生长面为从0001面或000-1面中的任一者沿1-100方向以63°以上且64°以下的角度倾斜的面，晶体培育工序中的原料溶液的温度比回熔工序中的原料溶液的温度高5℃以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中央硝子株式会社 碳化硅单晶的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号