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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本申请涉及具有封盖层的半导体元件，公开了一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一封盖遮罩层，设置于该基底上；一第一栅极绝缘层，沿着该封盖遮罩层设置，向内设置于该基底中，并包括一U形剖视轮廓；一第一功函数层，设置于该第一栅极绝缘层上；一第一导电层，设置于该第一功函数层上；以及一第一封盖层，设置于该第一导电层上。该第一封盖层包括氧化锗。该第一封盖层的一顶面与该封盖遮罩层的一顶面实质共面。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一封盖遮罩层，设置于该基底上；一第一栅极绝缘层，沿着该封盖遮罩层设置，向内设置于该基底中，并包括一U形剖视轮廓；一第一功函数层，设置于该第一栅极绝缘层上；一第一导电层，设置于该第一功函数层上；以及一第一封盖层，设置于该第一导电层上；其中该第一封盖层包括氧化锗；其中该第一封盖层的一顶面与该封盖遮罩层的一顶面实质共面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有封盖层的半导体元件
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