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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种套刻校正方法和包括该套刻校正方法的半导体器件制造方法，该套刻校正方法能够精确地测量和校正第一层的套刻的高阶分量并改善与随后的曝光工艺中的曝光设备的匹配，在该第一层中图案首先形成在半导体基板上。该套刻校正方法包括：在第一层上形成第一套刻标记，在该第一层上图案最初形成在半导体基板上；对第一套刻标记执行绝对测量；以及基于绝对测量校正第一层的套刻。绝对测量是基于用于形成第一套刻标记的曝光设备的固定位置的测量方法。
主权项：1.一种套刻校正方法，包括：在第一层上形成第一套刻标记，在所述第一层上图案最初形成在半导体基板上；对所述第一套刻标记执行绝对测量；以及基于所述绝对测量校正所述第一层的套刻，其中所述绝对测量是基于用于形成所述第一套刻标记的曝光设备的固定位置的测量方法。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 套刻校正方法和包括套刻校正方法的半导体器件制造方法
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