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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种沟槽型SiC场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。利用第一沟槽区的重掺杂P+区实现对第二沟槽区栅氧化层的保护，通过P+区与N型漂移层之间的空间耗尽层来降低沟槽栅氧底部拐角的电场集中，避免了栅氧化层的早期击穿失效，从而提高栅氧化层的使用可靠性，并且本发明在第一沟槽区的侧壁集成了肖特基二极管（SBD）结构，从而在器件续流过程中，将原本PN结体二极管续流改为SBD续流，避免了P区空穴进入到N型漂移层中，避免了器件的双极退化效应发生，提高器件的长期使用可靠性。
主权项：1.一种沟槽型SiC场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在碳化硅Epi层（3）上通过离子注入初步形成浅掺杂的P-body体区（4）；S200，在P-body体区（4）的上表面通过离子注入初步形成重掺杂的N+区（5）；S300，在N+区（5）的顶面通过刻蚀向下形成第一沟槽区（6）；S400，在第一沟槽区（6）的底面通过离子注入初步形成重掺杂的P+区（7）；S500，通过高温激活退火使P-body体区（4）、N+区（5）和P+区（7）完全形成；S600，在Epi层（3）上通过刻蚀形成第二沟槽区（8）；S700，在第二沟槽区（8）的内壁通入O2，利用干氧氧化方式生长一层栅氧化层（9）；S800，在第二沟槽区（8）内部通过多晶硅淀积方式形成一层Poly层（10），作为器件的门电极使用；S900，在N+区（5）和第二沟槽区（8）的顶面通过氧化物淀积方式形成一层隔离介质层（11），作为器件隔离门电极和源电极的绝缘层使用；S1000，在N+区（5）的顶面和第一沟槽区（6）内通过Ni金属溅射方式形成一层Ni金属层，后通过合金化退火形成一层正面欧姆合金层（12）；S1100，在器件上方通过Al金属溅射方式形成一层正面电极金属（13），作为器件的源电极使用；S1200，在Epi层（3）的底面通过Ni金属溅射方式形成一层Ni金属层，后通过激光退火形成背面欧姆合金层（14）；S1300，在背面欧姆合金层（14）的底面形成一层背面电极金属（15），作为器件的漏电极使用。
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