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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种硅片的处理方法，用于处理硅片。本申请的硅片处理方法包括：对硅片进行腐蚀处理；采用处理液对腐蚀处理后的硅片进行表面处理，处理液包括有机铵盐和氧化剂。本申请通过表面处理提高了硅片外延层的厚度均匀性。本申请可以采用具有处理槽的处理装置对硅片进行表面处理，本申请的处理装置可以实现多片硅片同时处理，提升硅片表面处理的处理效率。
主权项：1.一种硅片的处理方法，用于处理硅片100，其特征在于，包括：对所述硅片100进行腐蚀处理；采用处理液对所述腐蚀处理后的所述硅片100进行表面处理，所述处理液包括有机铵盐和氧化剂；所述有机铵盐和所述氧化剂的质量比为1：0.14～2.8；在所述腐蚀处理后，所述硅片100上形成有过渡层150，采用所述处理液去除所述过渡层150；所述硅片100和所述过渡层150之间具有外延层130，将所述硅片100浸入所述处理液中，满足：2≤V1V2，其中，所述V1为所述处理液对于过渡层150的第一去除速率，单位为μmmin，所述V2为所述处理液对于所述外延层130的第二去除速率，单位为μmmin。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种硅片的处理方法
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