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申请/专利权人：上海季丰技术有限公司
摘要：本申请提供了一种FC封装电路的处理方法、装置以及电子设备，涉及芯片技术领域，解决了封装内部芯片的损伤率较高的技术问题。该方法包括：通过X‑Ray测量目标区域在待电路修补芯片上的相对位置，并根据相对位置控制数码显微系统对准目标区域；通过数码显微系统的元素分析模块对目标区域进行元素分析，并在元素分析过程中针对目标区域进行能量轰击；基于轰击痕迹标记通过镭射机对目标区域进行镭射；对目标区域处的封装框架相对于整个待电路修补芯片进行局部切除；将局部切除后的芯片粘贴于目标锡纸上，并控制目标锡纸上的开口区域与目标区域的位置相同；基于制样芯片通过酸腐蚀露出目标区域对应芯片。
主权项：1.一种FC封装电路的处理方法，其特征在于，所述方法包括：获取待电路修补芯片，并根据GDS文件在所述待电路修补芯片上确定待电路修改的目标区域；通过X-Ray测量所述目标区域在所述待电路修补芯片上的相对位置，并根据所述相对位置控制数码显微系统对准所述目标区域；通过所述数码显微系统的元素分析模块对所述目标区域进行元素分析，并在元素分析过程中针对所述目标区域进行能量轰击，以使所述目标区域处形成轰击痕迹标记；所述能量小于预设能量值；基于所述轰击痕迹标记通过镭射机对所述目标区域进行镭射，以使所述目标区域处的封装减薄；针对封装减薄后的目标区域，对所述目标区域处的封装框架相对于整个所述待电路修补芯片进行局部切除，得到局部切除后的芯片；将所述局部切除后的芯片粘贴于目标锡纸上，并控制所述目标锡纸上的开口区域与所述目标区域的位置相同，以使所述待电路修补芯片上除所述目标区域以外的封装均处于所述目标锡纸内，得到制样芯片；其中，所述开口区域的尺寸与所述目标区域的尺寸相同；基于所述制样芯片通过酸腐蚀露出所述目标区域对应芯片，得到局部开封所述目标区域后的待电路修补芯片；通过丙酮将所述锡纸从所述待电路修补芯片上去除并进行清洗，对清洗后的芯片上的所述目标区域进行FIB电路修补，得到电路修补后的芯片；对所述电路修补后的芯片上局部开封后的所述目标区域进行局部封胶，以使所述电路修补后的芯片形成全部封装。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海季丰技术有限公司 FC封装电路的处理方法、装置以及电子设备
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