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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种优化4H‑SiC厚膜外延片少子寿命的方法，包括：对4H‑SiC厚膜外延片进行预处理，去除4H‑SiC厚膜外延片表面的杂质和机械划痕；利用氯气与预处理后的4H‑SiC厚膜外延片反应后进行退火处理，得到少子寿命增强的4H‑SiC厚膜外延片。本发明方法优化后的4H‑SiC厚膜外延片中少子寿命的分布均匀，而且不会在4H‑SiC厚膜外延片中带入新的深能级缺陷。
主权项：1.一种优化4H-SiC厚膜外延片少子寿命的方法，其特征在于，包括：步骤1：对4H-SiC厚膜外延片进行预处理，去除所述4H-SiC厚膜外延片表面的杂质和机械划痕；步骤2：利用氯气与预处理后的4H-SiC厚膜外延片反应后进行退火处理，得到少子寿命增强的4H-SiC厚膜外延片。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种优化4H-SiC厚膜外延片少子寿命的方法
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