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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法，包括：获取碳化硅外延片；对碳化硅外延片的Si面进行加热，得到加热后的碳化硅外延片；通入Ar气，并对加热后的碳化硅外延片进行冷却，得到冷却后的碳化硅外延片；对冷却后的碳化硅外延片进行退火处理，得到退火后的碳化硅外延片；对退火后的碳化硅外延片进行表面处理，得到最终的碳化硅外延片。这种方法可以在相对短时间制备得到少子寿命较强的碳化硅外延片，且可以有效降低成本，在不引入其他深能级缺陷的基础上修复碳空位缺陷引起的深能级缺陷，也不会造成晶格损伤，碳化硅外延层中少子寿命分布均匀，从而实现了少子寿命的增强。
主权项：1.一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法，其特征在于，所述方法包括：获取碳化硅外延片；对所述碳化硅外延片的Si面进行加热，得到加热后的碳化硅外延片，其中，在所述碳化硅外延片的Si面的加热过程中，所述碳化硅外延片发生热分解，所述碳化硅外延片中的硅原子升华，并在所述碳化硅外延片的表面形成一层碳薄膜；通入Ar气，并对所述加热后的碳化硅外延片进行冷却，得到冷却后的碳化硅外延片；对所述冷却后的碳化硅外延片进行退火处理，得到退火后的碳化硅外延片；对所述退火后的碳化硅外延片进行表面处理，去除所述退火后的碳化硅外延片表面的碳薄膜，得到最终的碳化硅外延片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法
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