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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种硅单晶少子寿命的检测方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，选取P‑或N‑型硅单晶，将硅单晶切片，得到原始硅片，将原始硅片放入碱性腐蚀液中，在预定温度下浸泡预定时间，以生成原硅酸，得到腐蚀硅片，以使硅片表面状态得到调控；将腐蚀硅片进行清洗、并进行干燥得到清洗硅片；将清洗硅片进行钝化，进行μPCD法测试，原始硅片在氢氧化钠腐蚀液中，硅原子与氢氧根结合，硅片上未配对的电子可以与氢氧根结合变成硅氧键，硅氧键断裂后与其他原子形成共价键，最终形成原硅酸，使硅片表面状态得到调控，在该表面状态在再进行钝化时，最大程度降低由于硅片表面状态干扰的复合速率，进而测试时能够得到加工前硅片真实少子寿命值。
主权项：1.一种硅单晶少子寿命的检测方法，其特征在于：在硅片加工前进行少子寿命检测，包括以下步骤：S1：选取P-或N-型硅单晶，将硅单晶切片，得到原始硅片；S2：将原始硅片放入碱性腐蚀液中，在预定温度下浸泡预定时间，以生成原硅酸，得到腐蚀硅片，以使硅片表面状态得到调控；S3：将腐蚀硅片进行清洗、并进行干燥得到清洗硅片；S4：将清洗硅片进行钝化，进行μPCD法测试，得到硅单晶的少子寿命。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 硅单晶少子寿命的检测方法
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