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申请/专利权人：长电集成电路(绍兴)有限公司

摘要：本发明公开了一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构及其制造方法，属于半导体芯片封装技术领域。其构造了带有TSV通孔的桥接芯片结构，其从上而下分布的导电结构包括：金属柱Ⅰ113、金属层Ⅰ112、金属导电柱109、金属层Ⅱ117、金属柱Ⅱ118和栅极阵列焊球Ⅰ119，使得电信号能够同时实现第一再布线金属层203与第二再布线金属层209的电性连接，利用第二再布线金属层209、第一再布线金属层203以及带有TSV通孔的桥接芯片122代替传统的TSV方法实现了芯片间的垂直互联。本发明进一步减小了封装体的厚度，同时，提供了更多的芯片间电信号垂直传输的路径。

主权项：1.一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构，其特征在于：其包括带有TSV通孔的桥接芯片122、第一再布线金属层203、第二再布线金属层209、金属柱Ⅲ205、塑封料Ⅰ207，所述第一再布线金属层203的上表面设置第一再布线金属层的上焊盘Ⅰ204和第一再布线金属层的上焊盘Ⅱ206，所述第一再布线金属层的上焊盘Ⅰ204设置在所述第一再布线金属层的上焊盘Ⅱ206的四周，所述第一再布线金属层203的下表面设置第一再布线金属层的下焊盘215；所述第二再布线金属层209的下表面设置第二再布线金属层的下焊盘Ⅰ231和第二再布线金属层的下焊盘Ⅱ232，所述第二再布线金属层的下焊盘Ⅰ231设置在所述第二再布线金属层的下焊盘Ⅱ232的四周，所述第二再布线金属层209的上表面设置第二再布线金属层的上焊盘210；所述带有TSV通孔的桥接芯片122的高度与所述金属柱Ⅲ205的高度相同；所述带有TSV通孔的桥接芯片122包括芯片本体102、金属层Ⅰ112、若干个金属柱Ⅰ113、若干个金属导电柱109、若干个金属柱Ⅱ118和底填膜121，所述金属导电柱109上下贯穿芯片本体102并露出其顶端，其上表面通过金属层Ⅰ112设置金属柱Ⅰ113，所述金属导电柱109的顶端处的金属层Ⅰ112与芯片本体102之间的空间通过钝化层110填充，所述金属导电柱109的下表面设置金属层Ⅱ117，所述金属层Ⅱ117的下表面通过金属柱Ⅱ118设置栅极阵列焊球Ⅰ119；所述底填膜121填充并覆盖金属层Ⅱ117、金属柱Ⅱ118和栅极阵列焊球Ⅰ119；所述带有TSV通孔的桥接芯片122和若干个金属柱Ⅲ205设置在第一再布线金属层203和第二再布线金属层209之间并通过所述栅极阵列焊球Ⅰ119、金属柱Ⅲ205的下表面分别与所述第一再布线金属层的上焊盘Ⅱ206、第一再布线金属层的上焊盘Ⅰ204实现电性连接，同时，通过所述金属柱Ⅰ113的上表面、金属柱Ⅲ205的上表面分别与第二再布线金属层的下焊盘Ⅱ232、第二再布线金属层的下焊盘Ⅰ231实现电性连接，所述金属柱Ⅲ205设置在带有TSV通孔的桥接芯片122的四周，所述塑封料Ⅰ207包封带有TSV通孔的桥接芯片122和所有金属柱Ⅲ205，形成塑封体222；所述第一再布线金属层203与第二再布线金属层209的结构相同；所述金属导电柱109的直径小于金属柱Ⅰ113和或金属柱Ⅱ118；所述第二再布线金属层209的上方电性连接若干个芯片、无源器件或芯片封装体并通过塑封料Ⅱ250填充；还包括复合金属层240，所述复合金属层240由下而上依次包含具有金属粘合层、金属阻挡层和金属种子层的多层金属叠层，所述金属粘合层形成在第二再布线金属层的上焊盘210的上表面，所述金属阻挡层形成在所述金属粘合层上，所述金属种子层形成在所述金属阻挡层上并且充当第二再布线金属层的上焊盘210和随后的所述芯片、无源器件或芯片封装体的焊料凸点的中间导电层；所述第一再布线金属层的下焊盘215设置栅极阵列焊球Ⅱ217。

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