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温度控制方法及装置 

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申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

摘要:本公开提供一种温度控制方法及装置,涉及集成电路热学分析领域,其包括获取各个芯片的温度,得到多个第一温度;利用线性映射函数,对多个第一温度进行处理,构建温度场,其中,温度场包括各个热点芯片的位置和数量;热点芯片的温度为第二温度;对比第二温度与预设温度值,确定超出预设温度值的热点芯片的位置,对超出预设温度值的热点芯片进行降温。本公开采用构建温度场的方式,解决了微系统中不同芯片的温度过高的问题,对超过预设温度值的芯片实现定向精准降温,节约能耗的同时提高了微系统的使用寿命。

主权项:1.一种温度控制方法,其特征在于,包括:获取各个芯片11的温度,得到多个第一温度;利用线性映射函数,对所述多个第一温度进行处理,构建温度场,其中,所述温度场包括各个热点芯片的位置和数量;所述热点芯片的温度为第二温度;对比所述第二温度与预设温度值,确定超出预设温度值的热点芯片的位置,对所述超出预设温度值的热点芯片进行降温。

全文数据:

权利要求:

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