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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及一种阻变存储器RRAM芯片失效模型的构建方法，属于芯片可靠性技术领域，解决了现有针对RRAM芯片失效行为构建的模型预测准确率不高的问题。通过获取阻变存储器芯片在模拟环境下各存储单元完成预设模拟周期数读写操作的原始数据Dt并对其进行预处理，构建得到数据结构为K×9×T的数据集D1，再通过对数据集D1作真失效或假失效的二分类标注，得到训练数据集D2；使用模型训练数据集D2对失效模型M进行训练，得到最终失效模型Mtrained。本发明的失效模型构建方法，对预测周期进行了合理的设置，实现了大幅提高模型预测的准确率，为及时有效地对失效的存储单元进行干预提供了更为准确的依据。
主权项：1.一种阻变存储器芯片失效模型的构建方法，其特征在于，包括如下步骤：获取阻变存储器芯片在模拟环境下各存储单元完成预设模拟周期数读写操作的原始数据Dt；对原始数据进行预处理，构建得到数据结构为K×9×T的数据集D1，对数据集D1作真失效或假失效的二分类标注，得到训练数据集D2；其中K为RRAM芯片中存储单元的总数；T为原始数据覆盖的模拟周期数；使用模型训练数据集D2对失效模型M进行训练，得到最终失效模型Mtrained。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种阻变存储器芯片失效模型的构建方法
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