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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于半导体技术领域，该CMOS图像传感器的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底中定义有光电二极管区；刻蚀所述衬底以形成沟槽，所述沟槽的底部延伸至所述光电二极管区中；在所述沟槽内壁形成氧化层，并在所述沟槽的外部注入碳离子或氮离子，形成离子注入区；在所述沟槽中填充多晶硅，形成至少覆盖所述衬底表面的多晶硅层，以形成垂直栅。通过在形成的沟槽外部进行一次碳离子或氮离子的离子注入流程，能够有效吸附刻蚀过程中机台产生金属离子，进一步改善白像素问题，最终改善CMOS图像传感器成像质量。
主权项：1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底中定义有光电二极管区；刻蚀所述衬底以形成沟槽，所述沟槽的底部延伸至所述光电二极管区中；在所述沟槽内壁形成氧化层，并在所述沟槽的外部注入碳离子或氮离子，形成离子注入区；在所述沟槽中填充多晶硅，形成至少覆盖所述衬底表面的多晶硅层，以形成垂直栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 CMOS图像传感器及其制造方法
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