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申请/专利权人：湖南大学

摘要：本发明是一种基于边缘迭代的电子束光刻剂量形状校正方法，通过判断并存储版图边缘各个点的位置的曝光情况进行迭代的修正，直到符合收敛标准就停止。本发明共分为六个步骤：步骤S1：电子束曝光版图网格划分；步骤S2：判断并存储曝光版图中每个图素边缘各点的位置；步骤S3：模拟电子束曝光版图曝光、显影过程，计算每个图素边缘对应像素的偏移量；步骤S4：根据每个图素边缘对应像素的偏移量，修正每个图素的边缘曝光位置；步骤S5：计算误差并判断迭代是否收敛；步骤S6：获取形状修正后的版图。由于只需要计算版图的边界所以其修正时间较短，且精确校正计算边缘所有点的能量，所以本发明具有高计算效率，高计算精度的特点。

主权项：1.一种基于边缘迭代的电子束光刻剂量形状校正方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1，电子束曝光版图网格划分；步骤S2，判断并存储曝光版图中每个图素边缘各点的位置；根据步骤S1中获取的原始版图矩阵Px,y，按照边缘分成上、右、下和左四组数据列表，按照公式1、2、3和4四个条件，分别判断与存储，即：1版图中每个图素位于上边缘的判断条件： 式中，Px,y为原始版图矩阵，T为存储上边缘所有点和偏移量的列表，δ为上边缘的某点的偏移量，遍历原始版图矩阵Px,y中x、y坐标，将满足公式1的坐标按x、y和δ三个变量为一组，按顺序依次存入上边缘列表T，且初始化δ＝0；2版图中每个图素位于右边缘的判断条件： 式中，Px,y为原始版图矩阵，R为存储右边缘所有点和偏移量的列表，δ为右边缘的某点的偏移量，遍历原始版图矩阵Px,y中x、y坐标，将满足公式2的坐标按x、y和δ三个变量为一组，按顺序依次存入右边缘列表R，且初始化δ＝0；3版图中每个图素位于下边缘的判断条件： 式中，Px,y为原始版图矩阵，B为存储下边缘所有点和偏移量的列表，δ为下边缘的某点的偏移量，遍历原始版图矩阵Px,y中x、y坐标，将满足公式3的坐标按x、y和δ三个变量为一组，按顺序依次存入下边缘列表B，且初始化δ＝0；4版图中每个图素位于左边缘的判断条件： 式中，Px,y为原始版图矩阵，L为存储左边缘所有点和偏移量的列表，δ为左边缘的某点的偏移量，遍历原始版图矩阵Px,y中x、y坐标，将满足公式4的坐标按x、y和δ三个变量为一组，按顺序依次存入左边缘列表L，且初始化δ＝0；步骤S3，模拟电子束曝光版图曝光、显影过程，计算每个图素边缘对应像素的偏移量，根据每个图素边缘对应像素的偏移量，校正每个图素的边缘曝光位置；所述模拟电子束曝光版图曝光、显影过程，计算每个图素边缘对应像素的偏移量，将迭代版图矩阵Dx,y进行能量沉积曝光计算，定义曝光后的能量分布为EDx,y，曝光的计算方法为： 式中，为二维离散卷积；PSFx,y为电子束点扩散函数，其包含了描述电子束光刻中各种效应的函数形式，包括但不限于电子束光刻邻近效应、雾化效应、刻蚀负载效应、电荷效应，迭代版图矩阵Dx,y初始值等于Px,y，即Dx,y＝Px,y，将曝光的能量沉积结果进行显影计算，其中显影阈值为τ，0τ1，显影模型SDx,y的定义方法为： 式中，max为计算EDx,y的最大值点，τ为显影阈值，SDx,y为曝光版图的显影结果；然后，按照步骤S2中获取的边缘位置列表依次计算各个边缘每个像素的偏移量δ，即：1设T列表的长度为NT，上边界偏移量计算方法： 式中，δ3i+2为上边缘处第i像素的偏移量，0≤i≤NT3，SDx,y为曝光版图的显影结果；2设R列表的长度为NR，右边界偏移量计算方法： 式中，δ3i+2为右边缘处第i像素的偏移量，0≤i≤NR3，SDx,y为曝光版图的显影结果；3设B列表的长度为NB，下边界偏移量计算方法： 式中，δ3i+2为下边缘处第i像素的偏移量，0≤i≤NB3，SDx,y为曝光版图的显影结果；4设L列表的长度为NL，左边界偏移量计算方法： 式中，δ3i+2为左边缘处第i像素的偏移量，0≤i≤NL3，SDx,y为曝光版图的显影结果； 式中，δ3i+2为上边缘处第i像素的偏移量，0≤i≤NT3，NT3为上边缘点的个数，SDx,y为曝光版图的显影结果；步骤S4，计算误差并判断迭代是否收敛；步骤S5，获取形状校正后的版图。

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百度查询： 湖南大学 一种基于边缘迭代的电子束光刻剂量形状校正方法