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申请/专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
摘要：本发明涉及一种CZ法拉制硅单晶锭的杂质源、硅单晶锭及其拉制方法，所述杂质源包括初始杂质源和补充杂质源，所述补充杂质源包括被吸附于多孔材料的磷、锑、硼中至少一种元素的化合物；本发明所述的杂质源、硅单晶锭及其拉制方法，多孔材料浸入熔硅中缓慢释放补充杂质源，进而缓慢调整熔硅的杂质掺杂浓度，减缓对生长的硅单晶锭的电学参数冲击，实现n型硅单晶锭纵向电阻率分布均匀和硅片片内电阻率均匀分布的目的。
主权项：1.一种CZ法拉制n型硅单晶锭的杂质源，其特征在于：所述杂质源包括初始杂质源和补充杂质源，所述补充杂质源包括被吸附于多孔材料的磷、锑、硼中至少一种元素的化合物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晨晖智能设备有限公司 CZ法拉制硅单晶锭的杂质源、硅单晶锭及其拉制方法
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