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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明公开了一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域；器件结构依次包括：衬底；位于衬底上方的非故意掺杂UIDβ‑Ga2O3缓冲层；位于缓冲层上方的两侧被刻蚀的非故意掺杂UIDβ‑Ga2O3台面状沟道层；位于台面状沟道层左上方的源电极，中间上方的本征β‑AlGa2O3间隔层，以及右上方的漏电极；位于间隔层上方的n型掺杂β‑AlGa2O3势垒层；位于势垒层上方的β‑Ga2O3盖帽层和钝化层，以及位于盖帽层上方的栅电极。本发明提供的HFET器件结构在栅电极和势垒层之间生长了一层盖帽层，有效地减小了栅极的泄露电流，提高了器件的击穿电压和可靠性；此外，本发明采用钝化层以改善器件内部的电场分布，进一步提高了器件的击穿电压。
主权项：1.一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件，包括衬底和依序层叠设置在衬底一端面上的缓冲层和沟道层，其特征在于，其还包括：源电极，设置在沟道层远离缓冲层的端面一侧；漏电极，设置在沟道层远离缓冲层的端面另一侧；间隔层，设置在源电极和漏电极之间的沟道层上；势垒层，设置在间隔层远离沟道层的端面上；盖帽层，设置在势垒层远离间隔层的端面上，且盖帽层在势垒层上的投影边缘不超出势垒层边缘；栅电极，设置在盖帽层远离势垒层的端面上；钝化层，设置在势垒层远离间隔层的端面上且将盖帽层包覆其中，所述栅电极的上端高出钝化层的上端面；其中，所述源电极与盖帽层接近于源电极的侧壁间距小于所述源电极与栅电极接近于源电极的侧壁间距；所述漏电极与盖帽层接近于漏电极的侧壁间距小于所述漏电极与栅电极接近于漏电极的侧壁间距；所述盖帽层与源电极之间的间距小于盖帽层与漏电极之间的间距；所述栅电极与源电极之间的间距小于栅电极与漏电极之间的间距。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法
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