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申请/专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要：本发明涉及一种用于在半导体晶片的检查体积中检查半导体特征的3D断层成像检查方法。获得3D断层成像图像并且选择多个2D横截面图像。识别HAR结构的轮廓并且提取偏差参数。偏差参数描述制造误差，诸如位移、半径或直径偏差、面积或形状。
主权项：1.一种分析集成半导体装置内的HAR结构集合的方法，包括：-获得半导体样品的3D断层成像图像，-从所述3D断层成像图像中选择2D横截面图像段的子集，每个子集包括HAR结构集合的横截面图像，-识别所述2D横截面图像段的子集中的所述HAR结构集合内的每个HAR结构的轮廓，-从所述HAR结构集合的所述HAR结构的轮廓中提取偏差参数，-分析所述偏差参数，其中，所述偏差参数包括以下一者或多者：-从理想位置的位移，-半径或直径的偏差，-与横截面面积的偏差，-与横截面的形状的偏差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 用于测量HAR结构的形状偏差的FIB-SEM 3D断层成像术
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