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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种存储器元件以及该存储器元件的制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，界定有一主动区并包括多个鳍片，该等鳍片从该半导体基底突伸并设置在该主动区内，其中每一个鳍片具有一第一平坦上表面；一第一字元线，延伸到该半导体基底中以及在该等鳍片的其中相邻二鳍片之间延伸，其中该第一字元线包括一氧化层、一第一导电组件以及一第一氮化层，该氧化层共形于相邻的该二鳍片的表面，该第一导电组件被该氧化层所围绕，该第一氮化层设置在该第一导电组件上且被该氧化层所围绕；以及一隔离层，延伸到该半导体基底中且围绕该主动区。
主权项：1.一种存储器元件的制备方法，包括：提供一半导体基底，界定有多个主动区并包括一隔离层，该隔离层围绕每一个主动区；在该半导体基底与该隔离层上设置并图案化一第一介电层；移除该半导体基底经由该第一介电层而暴露的多个部分，以形成多个第一凹陷，该多个第一凹陷延伸到该半导体基底中，借此形成多个鳍片，该多个鳍片从该半导体基底突伸；形成一第二介电层以共形于每一个第一凹陷并围绕该多个鳍片，其中在形成该第二介电层之后每一个鳍片具有一第一上表面，且该第一上表面是一圆形表面；形成一第一导电组件在每一个第一凹陷内并被该第二介电层所围绕；形成一第三介电层在该第一导电组件上并被该第二介电层所围绕；以及移除该第一介电层、该第二介电层的一部分以及该多个鳍片的各该第一上表面，借此形成每一个鳍片的一第二上表面；其中该第二上表面是一平坦表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有平坦化鳍片的存储器元件的制备方法
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