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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体为一种基于聚酰亚胺牺牲层的RFMEMS开关的制备方法，S1、在衬底上制备隔离层；S2、在绝缘隔离层上制备金属共面波导以及开关驱动电极；S3、在金属共面波导上旋涂聚酰亚胺牺牲层，并固化；S4、在聚酰亚胺牺牲层上沉积SiO2薄膜；S5、以图形化的SiO2薄膜作为硬掩膜刻蚀触点凹窝；S6、以厚光刻胶作为掩膜刻蚀锚点通孔；S7、去除SiO2薄膜和厚光刻胶；S8、在图形化聚酰亚胺牺牲层上电镀金属悬臂梁；S9、去除聚酰亚胺牺牲层。本发明能够实现精确的小尺寸图形转移，得到具有高平整度和良好触点凹窝形貌的高质量聚酰亚胺牺牲层，进而提升RFMEMS开关的可靠性和寿命。
主权项：1.一种基于聚酰亚胺牺牲层的RFMEMS开关的制备方法，其特征在于，包括：S1、在衬底上制备绝缘隔离层；S2、在绝缘隔离层上制备金属共面波导以及开关驱动电极；S3、在金属共面波导上旋涂聚酰亚胺牺牲层，并固化；S4、在聚酰亚胺牺牲层上沉积SiO2薄膜；S5、以图形化的SiO2薄膜作为硬掩膜刻蚀触点凹窝；刻蚀气体为O2和CF4的混合气体；S6、以厚光刻胶作为掩膜刻蚀锚点通孔；S7、去除SiO2薄膜和厚光刻胶；S8、在图形化聚酰亚胺牺牲层上电镀金属悬臂梁；S9、去除聚酰亚胺牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 一种基于聚酰亚胺牺牲层的RF MEMS开关的制备方法
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