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申请/专利权人：彩虹显示器件股份有限公司
摘要：本发明公开了一种基于钼电极加热的高世代基板玻璃窑炉及防氧化方法，涉及到高世代基板玻璃窑炉钼电极排布及防氧化领域，包括多对钼电极，所述钼电极底插在池底，钼电极与池侧壁平行设置，钼电极的排布距离为：L＝7×L1+2L2，330mm＜L2＜380mm，2Dmm＜L1＜3Dmm，2300mm＜L3＜2400mm，L4＞250mm；其中，L为池侧壁的总长度，L1为相邻底插式钼电极间距，L2为钼电极距离前池壁、后池壁的距离，L3为每对钼电极之间的间距，D为所述钼电极直径，L4为钼电极距离池侧壁的距离；本发明考虑电场干涉效应，每对电极之间电压限制以及钼电极端面与玻璃液面之间的相对位置关系，可确保钼电极加热元件之间的电力线不会相互干涉，提高了底插式钼电极的长期高效稳定运行。
主权项：1.一种基于钼电极加热的高世代基板玻璃窑炉，其特征在于，包括多对钼电极1，所述钼电极1底插在池底3，钼电极1与池侧壁5平行设置，钼电极1的排布距离为：L＝7×L1+2L2，330mm＜L2＜380mm，2Dmm＜L1＜3Dmm，2300mm＜L3＜2400mm，L4＞250mm；其中，L为池侧壁5的总长度，L1为相邻底插式钼电极1间距，L2为钼电极1距离前池壁7、后池壁16的距离，L3为每对钼电极1之间的间距，D为所述钼电极1直径，L4为钼电极1距离池侧壁5内壁的距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 彩虹显示器件股份有限公司 一种基于钼电极加热的高世代基板玻璃窑炉及防氧化方法
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