龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供了一种基于HTCC及AMB的多层氮化硅陶瓷基板及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，所述方法包括：采用HTCC工艺加工多层氮化硅陶瓷基板，进行多层布线、印刷图形并制作垂直互连孔；采用AMB工艺在所述多层氮化硅陶瓷基板的表面进行覆铜处理；在覆铜层上的刻蚀图形；刻蚀的图形经垂直互连孔与多层氮化硅陶瓷基板内埋层的钨导体层互连。本发明为HTCC和AMB工艺相结合，陶瓷基板加工采用HTCC工艺，表层导体图形加工采用AMB工艺，不仅具有HTCC多层陶瓷垂直互连的优点，又有AMB工艺表面可焊厚铜的优点，既可满足高密度布线的要求，又可满足大功率器件低电阻的要求，工作可靠性高。
主权项：1.一种基于HTCC及AMB的多层氮化硅陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：采用HTCC工艺加工多层氮化硅陶瓷基板2，进行多层布线并制作垂直互连孔21；采用AMB工艺在所述多层氮化硅陶瓷基板2的正面和背面进行覆铜处理；在正面覆铜6上刻蚀图形1；刻蚀图形1经垂直互连孔21与多层氮化硅陶瓷基板2内埋层的钨导体层3互连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 基于HTCC及AMB的多层氮化硅陶瓷基板及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号