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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供一种高温共烧陶瓷封装外壳及其制备方法，属于陶瓷封装外壳技术领域。方法包括：在高温共烧后的陶瓷基板中，制备贯穿陶瓷基板的通孔。在通孔制备后的陶瓷基板表面制备第一种子层和第二种子层。在陶瓷基板的正面覆盖开槽干膜，并采用激光在开槽干膜中进行开槽、去除槽内干膜，制备凹槽。基于凹槽底部暴露的第二种子层，以及通孔侧壁的第一种子层和通孔上端的第二种子层，电镀填充凹槽和通孔，得到电镀填充后的基板。将电镀填充后的基板去胶，制备得到带铜围坝的高温共烧陶瓷封装外壳。本发明将铜围坝制备工艺与陶瓷基板制备工艺相结合，利用陶瓷基板的通孔电镀填充步骤，同时制备铜围坝。提升了高温共烧陶瓷封装外壳的制备效率。
主权项：1.一种高温共烧陶瓷封装外壳制备方法，其特征在于，包括：在高温共烧后的陶瓷基板中，制备贯穿所述陶瓷基板的通孔；在通孔制备后的陶瓷基板表面制备第一种子层和第二种子层，其中，第一种子层覆盖通孔的侧壁，第二种子层覆盖陶瓷基板的正面，且第二种子层封住通孔的上端，所述上端为通孔靠近正面的一端；在陶瓷基板的正面覆盖开槽干膜，并采用激光在所述开槽干膜中进行开槽、去除槽内干膜，制备凹槽，其中，所述开槽干膜的厚度不小于待制备的铜围坝的高度；所述凹槽的槽宽不小于待制备的铜围坝的宽度；基于凹槽底部暴露的第二种子层，以及通孔侧壁的第一种子层和通孔上端的第二种子层，电镀填充所述凹槽和所述通孔，得到电镀填充后的基板，其中，凹槽填充后得到铜围坝，通孔填充后得到金属化通孔；将电镀填充后的基板去胶，制备得到带铜围坝的高温共烧陶瓷封装外壳。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种高温共烧陶瓷封装外壳及其制备方法
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