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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供了一种基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，属于电子封装技术领域，包括：在生瓷片上按预设位置进行激光打孔，形成通孔；在通孔内填满金属浆料；在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出，在通孔侧壁挂浆形成一层浆料覆膜；将形成浆料覆膜的生瓷片堆叠层压成型，放入高温烧结炉进行高温共烧形成熟瓷片，此时通孔侧壁的浆料覆膜形成金属种子层；利用抛光机将熟瓷片的正背两表面抛光处理；经贴合干膜、光刻显影，完成金属化线路层的制作；去除干膜，经干燥后，完成DPC基板的制作。采用本发明制备的高深径比填充的DPC基板，由于通孔侧壁上能够形成完整的金属种子层，大大提升了DPC基板工作的可靠性。
主权项：1.一种基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，在生瓷片上按预设位置进行激光打孔，形成通孔；步骤二，在所述通孔内填满金属浆料；步骤三，在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出，在所述通孔侧壁挂浆形成一层浆料覆膜；步骤四，将形成浆料覆膜的生瓷片堆叠层压成型，放入高温烧结炉进行高温共烧形成熟瓷片，此时通孔侧壁的浆料覆膜形成金属种子层；步骤五，利用抛光机将熟瓷片的正背两表面抛光处理；步骤六，经贴合干膜、光刻显影，完成金属化线路层的制作；步骤七，去除干膜，经干燥后，完成DPC基板的制作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法
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