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申请/专利权人：浙江铖昌科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种噪声去嵌方法及装置，属于芯片测量领域。方法包括：获取被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，并获取预设去嵌结构的S参数测量值；获取的测量值均是在S参数校准和噪声校准后测量得到的；根据S参数测量值以及电阻‑电感‑电容负载模型中的已知电阻值，计算负载模型中的等效电容值和等效电感值；负载模型的电路连接方式为：电容与电阻形成并联电路，该并联电路与电感串联；根据负载模型计算负载真实反射系数，并将负载真实反射系数代入去嵌算法中计算得到待去嵌结构的S参数；根据待去嵌结构的S参数以及被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，计算去嵌后被测器件的真实噪声参数。本发明得到的噪声去嵌结果精度更高。
主权项：1.一种噪声去嵌方法，其特征在于，所述方法包括：获取被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，并获取预设去嵌结构的S参数测量值；获取的测量值均是在S参数校准和噪声校准后测量得到的；根据S参数测量值以及电阻-电感-电容负载模型中的已知电阻值，计算所述负载模型中的等效电容值和等效电感值；所述负载模型的电路连接方式为：电容与电阻形成并联电路，该并联电路与电感串联；根据所述负载模型计算负载真实反射系数，并将所述负载真实反射系数代入去嵌算法中计算得到待去嵌结构的S参数；根据待去嵌结构的S参数以及所述被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，计算去嵌后被测器件的真实噪声参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江铖昌科技股份有限公司 一种噪声去嵌方法及装置
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