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一种极薄可剥离铜的制备方法 

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申请/专利权人:珠海凯赛奥表面技术有限公司

摘要:本发明提供了一种极薄可剥离铜的制备方法,属于铜箔制备技术领域。本发明首先对载体聚合物进行等离子体清洗,然后在清洗后的载体聚合物上进行高能离子注入,在得到的离子注入载体聚合物上沉积单向结合强度金属,最后在单向结合强度金属沉积的载体聚合物的表面沉积极薄铜,得到极薄可剥离铜。本发明所制备的极薄可剥离铜,单向结合强度金属与载体聚合物之间的结合强度≥0.7Ncm,与铜箔之间的结合强度在0.1~0.2Ncm。并且本发明制备的铜箔致密性好,厚度为1~3μm,表面粗糙度为0.05~0.2μm,耐折次数≥1500次,消耗因子<0.04,吸水率<4%,扩展撕裂强度>4Nmm。

主权项:1.一种极薄可剥离铜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1对载体聚合物进行卷对卷等离子体清洗,得到清洗后的载体聚合物;2对清洗后的载体聚合物进行高能离子注入处理,得到离子注入载体聚合物;所述高能离子注入处理是利用能量为10~50keV高能离子束注入元素,注入的深度为10~50nm,注入的剂量为1×1015~1×1016cm2,注入后载体聚合物的表面粗糙度为0.01~0.1μm;3对离子注入载体聚合物沉积单向结合强度金属,得到单向结合强度金属沉积的载体聚合物;4在单向结合强度金属沉积的载体聚合物的表面沉积极薄铜,得到极薄可剥离铜;所述步骤1的等离子体清洗包含顺次进行的潘宁离子源清洗、考夫曼离子源清洗、冷阴极霍尔源清洗。

全文数据:

权利要求:

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