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申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要：本申请公开了一种高良率反极性LED芯片制造方法，方法包括以下步骤：将生长完键合层待键合的临时砷化镓衬底晶片与待键合的永久硅衬底晶片贴片后放入自动键合机中键合；将晶片放入腐蚀液中去除临时砷化镓基衬底；晶片能明显看到晶片边缘黏附有凸起的高于晶片表平面的固体硬物，将晶片吸附在真空吸盘上进行多次黏性膜粘附以除去表面部分黏附不牢的凸起物，随后用刀片刮除黏性膜粘附不掉的其他凸起物；使用蓝膜粘附处理完成的晶片表面，以去除落在晶片表面的刀片刮除过程中产生的粉尘；将处理完成的晶片依次进行甩胶、曝光、显影以得到需要的图形；将处理完成的晶片及曝光用光刻版进行卤素灯下检查，晶片表面干净整洁，光刻版无任何硌伤印迹。
主权项：1.一种高良率反极性LED芯片制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：晶片键合：将生长完键合层待键合的临时砷化镓衬底晶片与待键合的永久硅衬底晶片贴片后放入自动键合机中键合；步骤S2：去除临时砷化镓基衬底：将步骤S1中键合完成的晶片放入腐蚀液中去除临时砷化镓基衬底；步骤S3：黏性膜粘附及刀片刮除：将步骤S2处理完成的晶片能明显看到晶片边缘黏附有凸起的高于晶片表平面的固体硬物，将步骤S2处理完成的晶片吸附在真空吸盘上进行多次黏性膜粘附以除去表面部分黏附不牢的凸起物，随后用刀片刮除黏性膜粘附不掉的其他凸起物；步骤S4：蓝膜粘附：使用蓝膜粘附步骤S3处理完成的晶片表面，以去除落在晶片表面的刀片刮除过程中产生的粉尘；步骤S5：甩胶曝光显影工艺：将步骤S4处理完成的晶片依次进行甩胶、曝光、显影以得到需要的图形；步骤S6：晶片及光刻版检查：将步骤S5处理完成的晶片及曝光用光刻版进行卤素灯下检查，晶片表面干净整洁，光刻版无任何硌伤印迹。
全文数据：
权利要求：
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