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申请/专利权人：中国计量科学研究院
摘要：本申请涉及一种辐射功率传感器芯片。每个第二热电结构与每个第一热电结构首尾依次直接连接，形成多个依次串联连接的电偶对，不需要通过其他导电材料就可以实现连接。并且，多个第一热电结构、多个第二热电结构、吸收辐射功率结构以及自校准结构均设置在同一平面，不需要中间热传输结构就可以实现辐射功率吸收热传导和自校准加热传导至多个热端连接点即热电堆热端。通过辐射功率传感器芯片可以实现热电堆热端分别与吸收辐射功率结构和自校准结构之间的快速热传导，缩短了热传递链，且响应快速，进而提高了检测效率。
主权项：1.一种辐射功率传感器芯片，其特征在于，包括：基底10；多个间隔设置的第一热电结构310和多个间隔设置的第二热电结构320，位于所述基底10的第一表面110；多个所述第一热电结构310与多个所述第二热电结构320交替设置并一一对应首尾连接，所述第一热电结构310与所述第二热电结构320在同一侧的连接点形成热端连接点330；吸收辐射功率结构20，位于所述第一表面110，所述吸收辐射功率结构20靠近所述热端连接点330设置；所述吸收辐射功率结构20包括：传热结构210，位于所述第一表面110；吸收结构220，位于所述传热结构210远离所述基底10的表面；自校准结构40，位于所述第一表面110，所述自校准结构40间隔位于所述吸收辐射功率结构20与所述热端连接点330之间；所述自校准结构40包括：多个第一结构411，位于所述传热结构210与所述热端连接点330之间；多个第二结构412，位于相邻两个所述热端连接点330之间；多个所述第一结构411与多个所述第二结构412交替设置并一一对应首尾连接形成第一通路；所述第一结构411为直线结构，所述第二结构412为U型结构，首尾依次连接，形成所述自校准结构40；通过所述第二结构412同时靠近相邻的两个所述热端连接点330。
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